Установка для измерения электрофизических параметров наноматериалов (Alcatel)
14 сентября 2018
254
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Франция |
| Год производства | 2005 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | от 10 000 руб. |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Электрофизических измерения параметров наноструктур в т.ч. при низких температурах. Диапазон температур: T=4 K - 450 K. Точность определения температуры: 1 К. Диапазон частот при измерениях на перемен-ном сигнале: f=5 Гц - 13 МГц. Точность регулировки частоты переменного сигнала: 1 Гц. Диапазон подаваемых напряжений: U=0 В - 500 В. Диапазон измеряемых токов на постоянном сигнале: I=10 фА - 20 мА. Диапазон измерения сопротивления на переменном сигнале: R=1 Ом - 1 МОм. Диапазон измерения емкости: С=1пФ - 100мФ. Диапазон измерения индуктивности: L=100нГн - 1000Гн.