Сканирующий электронный микроскоп Supra 50VP (Carl Zeiss)
14 сентября 2018
242
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Нижегородская область, Нижний Новгород |
| Страна производства | Германия |
| Год производства | 2005 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | от 12 000 руб. |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Позволяет выполнять многоплановые исследования по созданию и диагностике наноструктур с применением методов сканирующей электронной микроскопии и электронной литографии. Микроскоп оснащен комплектом аналитических модулей (детекторов и программное обеспечение), с помощью которых можно получать разнообразную качественную и количественную информацию об исследуемых объектах:
получение изображений объектов без предварительной подготовки (в том числе и непроводящих — возможность использования режимов низкого вакуума (VP) и их комбинаций с работой на низких ускоряющих) во вторичных и отраженных электронах с пространственным разрешением до 1,5 нм;
морфометрический анализ субмикронных и нанометровых неоднородностей и частиц;
микроанализ элементного состава объектов, включая измерение толщины и состава тонких пленок, с использованием энергодисперсионного рентгеновского спектрометра; сверхстабильный ток пучка — 0,2% в час / до 20 нА, обеспечивает высочайшее качество результатов рентгеновского и дифракционного анализов;
анализ спиновой поляризации вторичных электронов и получение изображений поверхности материалов с магнитным контрастом;
диагностика полупроводниковых структур с применением методов катодолюминесцентных измерений и т. п.
получение изображений объектов без предварительной подготовки (в том числе и непроводящих — возможность использования режимов низкого вакуума (VP) и их комбинаций с работой на низких ускоряющих) во вторичных и отраженных электронах с пространственным разрешением до 1,5 нм;
морфометрический анализ субмикронных и нанометровых неоднородностей и частиц;
микроанализ элементного состава объектов, включая измерение толщины и состава тонких пленок, с использованием энергодисперсионного рентгеновского спектрометра; сверхстабильный ток пучка — 0,2% в час / до 20 нА, обеспечивает высочайшее качество результатов рентгеновского и дифракционного анализов;
анализ спиновой поляризации вторичных электронов и получение изображений поверхности материалов с магнитным контрастом;
диагностика полупроводниковых структур с применением методов катодолюминесцентных измерений и т. п.