Вторично-ионный масс-спектрометр TOF-SIMS 5-100 (IONTOF)

Предназначен для элементного анализа по глубине и по площади образца. Возможность вариации типа и массы анализирующих ионов позволяет минимизировать матричные эффекты при послойном анализе металлических структур. Кроме того, для кластерных вторичных ионов глубина выхода, как правило, ниже 0.5нм. Принципиально новые возможности представляет TOF. SIMS-5 для анализа диэлектрических структур, а также тонкопленочных плохо проводящих структур на диэлектрических подложках, что часто составляет неразрешимую проблему в установках динамического ВИМС. Для этого в установке размещена дополнительная низкоэнергетическая электронная пушка, которая также имеет импульсный режим работы. Электронный пучок позволяет полностью нейтрализовать заряд, вызванный анализирующим пучком ионов с низкой величиной тока. Для компенсации заряда, вызванного распыляющими ионными пучками со значительно большей величиной тока (сотни нА), предусмотрено введение дополнительных временных задержек в последовательности «распыление-анализ» в очень широком диапазоне от единиц микросекунд до нескольких секунд.