Вторично-ионный масс-спектрометр TOF-SIMS 5-100 (IONTOF)
14 сентября 2018
397
Классификация оборудования | |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Нижегородская область, Нижний Новгород |
Страна производства | Германия |
Год производства | 2008 |
Предоставляемое количество | 1 |
Условия использования | |
Стоимостная группа | от 10 млн руб |
Стоимость предоставления услуг | от 15 000 руб. |
Регламент предоставления услуги | — |
Объект коллективного пользования | Нет |
Наличие аккредитации | Нет |
Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Предназначен для элементного анализа по глубине и по площади образца. Возможность вариации типа и массы анализирующих ионов позволяет минимизировать матричные эффекты при послойном анализе металлических структур. Кроме того, для кластерных вторичных ионов глубина выхода, как правило, ниже 0.5нм. Принципиально новые возможности представляет TOF. SIMS-5 для анализа диэлектрических структур, а также тонкопленочных плохо проводящих структур на диэлектрических подложках, что часто составляет неразрешимую проблему в установках динамического ВИМС. Для этого в установке размещена дополнительная низкоэнергетическая электронная пушка, которая также имеет импульсный режим работы. Электронный пучок позволяет полностью нейтрализовать заряд, вызванный анализирующим пучком ионов с низкой величиной тока. Для компенсации заряда, вызванного распыляющими ионными пучками со значительно большей величиной тока (сотни нА), предусмотрено введение дополнительных временных задержек в последовательности «распыление-анализ» в очень широком диапазоне от единиц микросекунд до нескольких секунд.