Научно-исследовательский нанотехнологический комплекс "Riber SSC2" на основе сверхвысоко-вакуумного центра для исследования поверхности

Комплекс позволяет последовательно исследовать образец различными физическими методами, производить технологические обработки, снова исследовать образец и т.д. При этом образец никогда не покидает условий СВВ. Исследования методом ДБОЭ могут проводиться во время технологических процессов (in situ). Поскольку образец не покидает условий СВВ, его исследования методом СТМ до и после обработок проводятся с атомным разрешением. Качество СТМ столь высоко, что атомное разрешение реализуется как на гладкой поверхности образца (например, на чистой поверхности монокристаллического Si или Ge), так и при исследовании объектов с высокой шероховатостью, таких как массивы квантовых точек или нанокристаллические пленки кремния или силицидов металлов.