Установка градиентной жидкофазной эпитаксии

14 сентября 2018
519
Классификация оборудования
Страна, регион, город Российская Федерация, Ставропольский край, Ставрополь
Страна производства РФ
Год производства 2008
Предоставляемое количество 1
Условия использования
Аренда|Заказ исследования
Стоимостная группа до 500 000 тыс. руб.
Стоимость предоставления услуг от 300 руб.
Регламент предоставления услуги —
Объект коллективного пользования Нет
Наличие аккредитации Нет
Наличие ГОСТированной методики Нет

Описание

Применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений А3В5, таких как GaAs, InP, GaSb; также твердые растворы AlGaAs, GaInP, GaInAs, AlGaAsP, GaInAsP, GaInAsSb, AlGaInAsP. В качестве движущей силы кристаллизации
полупроводниковых гетероструктур используется технологии технология перекристаллизации в поле температурного градиента.
Найти аналог
Вам может быть интересно
Наименование Страна производства Условия использования Расположение
Сильноточный линейный ускоритель ионов водорода Ядерно-физическая установка РФ Аренда, Заказ исследования Москва
Установка плазмохимического газофазного роста алмазных пленок Япония Аренда, Заказ исследования Пермь
Магнитная Индукционно-Разрядная установка с ускоряющим напряжением 100кВ МИР-100 РФ Аренда, Заказ исследования Москва
Установка для финишного плазменного упрочнения УФПУ-114 РФ Аренда, Заказ исследования Воронеж
Установка индукционного нагрева мощностью 10 кВт, частотой 66 кГц РФ Аренда, Заказ исследования Санкт-Петербург
Экспериментальная установка на ядерном реакторе на быстрых нейтронах ВВР-М РФ Аренда, Заказ исследования Санкт-Петербург
Установка нагрева ТВЧ (высокочастотный индукционный нагреватель LH-30 KW-B) РФ Аренда, Заказ исследования Оренбург