| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | США |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
Описание
Обладает возможностью избирательного травления заданных областей образца и химического осаждения материала. Используемый в Vion Plasma FIB источник плазмы обеспечивает 20 – 60 раз более высокие токи пучка, чем традиционные ионные микроскопы с использованием ионов галлия, сохраняя при этом все возможности использования низкого тока пучка. Кроме того, в камере могут быть введены различные газы, оказывающие влияние на взаимодействие пучка с поверхностью образца и вызывающие осаждение материала (изолятора или проводника).