Комплекс молекулярно-пучковой эпитаксии на базе установки SVTA MBE-35-3
14 сентября 2018
482
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Санкт-Петербург |
| Страна производства | США |
| Год производства | 2012 |
| Предоставляемое количество | 2 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 10 млн руб |
| Стоимость предоставления услуг | договорная |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Создание методом молекулярно-пучковой эпитаксии экспериментальных 3D/2D гетероструктур с квантовыми ямами и сверхрешетками, базисных 3D/2D структур, функциональных (волноводных, брегговских, микрорезонаторных и т.п.) структур, гетероструктур для разработки и создания элементов фотонной логики, памяти, оптоэлектроники и квантовой электроники.
