Установка AIX 200RF (Aixtron) для выращивания пленок соединений A3B5 в системе InGaAsP методом МОС-гидридной эпитаксии
14 сентября 2018
578
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Нижегородская область, Нижний Новгород |
| Страна производства | Германия |
| Год производства | 2014 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | от 12 000 руб. |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Предназначена для выращивания пленок соединений A3B5 в системе InGaAsP методом МОС-гидридной эпитаксии с комплектом оборудования для получения алюминий содержащих полупроводниковых структур. Обеспечивает управляемый рост пленок соединений A3B5 в системе AlInGaAsP методом МОС-гидридной эпитаксии, неоднородности по толщине ±2%, неоднородность по составу ±1%. Толщины и уровни легирования, определяются параметрами роста. Мах. температура реактора 1100ºС ±2º, давление в реакторе 40-1000mbar ±1mbar.