Установка плазмохимического осаждения Plasmalab system 100 PECVD (Oxford instruments)

14 сентября 2018
629
Классификация оборудования
Страна, регион, город Российская Федерация, Санкт-Петербург
Страна производства Великобритания
Год производства 2006
Предоставляемое количество 1
Условия использования
Аренда|Заказ исследования
Стоимостная группа от 10 млн руб
Стоимость предоставления услуг от 25 000 руб.
Регламент предоставления услуги —
Объект коллективного пользования Нет
Наличие аккредитации Нет
Наличие ГОСТированной методики Нет

Описание

Предназначена для плазмо-химического осаждения диэлектрических и полупроводниковых слоев (SiO2, Si3N4, a-Si:H, a-SiC:H). Установка имеет шесть газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Частота ВЧ генератора 13,56 МГц. Нагрев подложек до температуры 400°С. Установка снабжена загрузочным шлюзом.
Найти аналог
Вам может быть интересно
Наименование Страна производства Условия использования Расположение
Сильноточный линейный ускоритель ионов водорода Ядерно-физическая установка РФ Аренда, Заказ исследования Москва
Установка для финишного плазменного упрочнения УФПУ-114 РФ Аренда, Заказ исследования Воронеж
Установка индукционного нагрева мощностью 10 кВт, частотой 66 кГц РФ Аренда, Заказ исследования Санкт-Петербург
Экспериментальная установка на ядерном реакторе на быстрых нейтронах ВВР-М РФ Аренда, Заказ исследования Санкт-Петербург
Установка нагрева ТВЧ (высокочастотный индукционный нагреватель LH-30 KW-B) РФ Аренда, Заказ исследования Оренбург
Источник переменного напряжения с интерфейсом управления 3000Lx (California Instruments) США Продажа Нижнекамск
Магнитная Индукционно-Разрядная установка с ускоряющим напряжением 100кВ МИР-100 РФ Аренда, Заказ исследования Москва
Установка плазмохимического газофазного роста алмазных пленок Япония Аренда, Заказ исследования Пермь