Установка плазмохимического осаждения Plasmalab system 100 PECVD (Oxford instruments)

14 сентября 2018
400
Классификация оборудования
Страна, регион, город Российская Федерация, Санкт-Петербург
Страна производства Великобритания
Год производства 2006
Предоставляемое количество 1
Условия использования
Аренда|Заказ исследования
Стоимостная группа от 10 млн руб
Стоимость предоставления услуг от 25 000 руб.
Регламент предоставления услуги
Объект коллективного пользования Нет
Наличие аккредитации Нет
Наличие ГОСТированной методики Нет

Описание

Предназначена для плазмо-химического осаждения диэлектрических и полупроводниковых слоев (SiO2, Si3N4, a-Si:H, a-SiC:H). Установка имеет шесть газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Частота ВЧ генератора 13,56 МГц. Нагрев подложек до температуры 400°С. Установка снабжена загрузочным шлюзом.
Найти аналог
Вам может быть интересно
Наименование Страна производства Условия использования Расположение
Экспериментальная установка на ядерном реакторе на быстрых нейтронах ВВР-М РФ Аренда, Заказ исследования Санкт-Петербург
Установка нагрева ТВЧ (высокочастотный индукционный нагреватель LH-30 KW-B) РФ Аренда, Заказ исследования Оренбург
Установка индукционного нагрева мощностью 10 кВт, частотой 66 кГц РФ Аренда, Заказ исследования Санкт-Петербург
Сильноточный линейный ускоритель ионов водорода Ядерно-физическая установка РФ Аренда, Заказ исследования Москва
Установка для финишного плазменного упрочнения УФПУ-114 РФ Аренда, Заказ исследования Воронеж
Источник переменного напряжения с интерфейсом управления 3000Lx (California Instruments) США Продажа Нижнекамск
Магнитная Индукционно-Разрядная установка с ускоряющим напряжением 100кВ МИР-100 РФ Аренда, Заказ исследования Москва
Установка плазмохимического газофазного роста алмазных пленок Япония Аренда, Заказ исследования Пермь