Комплекс молекулярно-пучковой эпитаксии Compact 21 TM (Riber)

Предназначен для эпитаксиального роста гетероструктур полупроводниковых соединений A3B5 методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) для оптоэлектроники, радиофотоники и наноэлектроники. Используется для синтеза полупроводниковых соединений типа A3B5. В отличие от стандартных МПЭ установок, данный комплекс оборудования обладает рядом уникальных характеристик. Наличие дополнительной камеры, предназначенной не только для плазменной очистки поверхности ростовых подложек, но и для осаждения тонких слоев металлов, например, необходимых для создания капель катализаторов роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, а также in situ осаждения контактных слоев, существенно расширяют возможности данного оборудования. С другой стороны использование данной МПЭ установки позволяет осуществлять синтез уникальных материалов, поскольку она укомплектована следующим набором ростовых ячеек: Ga, In, Al, P, As, Sb, N, Si, Be.