Печь для выращивания кристаллов карбида кремния BaSiC-T (PVA TePla)
14 сентября 2018
586
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Германия |
| Год производства | 2014 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | от 12 000 руб. |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Предназначена для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) путём сублимации исходного порошка при высокой температуре. Система сконструирована по модульному принципу и позволяет использовать подложки (затравочные кристаллы) диаметром до 6 дюймов. Предназначена для области силовой электроники. Исполнения для диаметров кристаллов 4 дюйма и 6 дюймов. Индуктивный нагрев катушками, конструкции которых проверены годами эксплуатации. Низкая потребляемая мощность (приблизительно 10 кВт при 2200 °C и стабильном регулировании). Принцип мобильной загрузки и выгрузки для зоны нагрева.