Печь для выращивания кристаллов карбида кремния CGS SiCube (PVA TePla)
14 сентября 2018
620
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Германия |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 10 млн руб |
Описание
Предназначен для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) путём сублимации или термического разложения (пиролиза) исходных газов при высокой температуре. Наличие высоковакуумной системы позволяет в значительной мере удалить воду и кислород с поверхностей перед началом процесса. Конструкция системы позволяет использовать подложки (затравочные кристаллы) диаметром до 4 дюймов.
