Печь для выращивания кристаллов карбида кремния CGS SiCube (PVA TePla)

14 сентября 2018
620
Классификация оборудования
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Страна производства Германия
Предоставляемое количество 1
Условия использования
Продажа
Стоимостная группа от 10 млн руб

Описание

Предназначен для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) путём сублимации или термического разложения (пиролиза) исходных газов при высокой температуре. Наличие высоковакуумной системы позволяет в значительной мере удалить воду и кислород с поверхностей перед началом процесса. Конструкция системы позволяет использовать подложки (затравочные кристаллы) диаметром до 4 дюймов.
Найти аналог
Вам может быть интересно
Наименование Страна производства Условия использования Расположение
Экспериментальная установка для синтеза во взвешенном слое (СПГУ) РФ Аренда, Заказ исследования Санкт-Петербург
Реакционная емкость для процессорного аппарата на 100л/1 (Simax) Чехия Аренда, Заказ исследования Москва
Каталитическая установка для проведения испытаний активности и селективности гетерогенных катализаторов РФ Аренда, Заказ исследования Пермь
Оборудование С7 XR для внутрисосудистой визуализации высокого разрешения США Аренда, Заказ исследования Белгород
Автоматизированная система высокого давления для синтеза наноматериалов Parr 4592 (Parr Instrument Company) США Аренда, Заказ исследования Москва
Комплект научного оборудования для проведения экспериментов по созданию тонкопленочных твердооксидных топливных элементов США Аренда, Заказ исследования Томск
Установка для исследования процессов полного каталитического окисления биотоплив РФ Аренда, Заказ исследования Йошкар-Ола
Стенд для исследования топливных ячеек и батарей твердооксидных топливных элементов РФ Аренда, Заказ исследования Томск
биореактор для культивирования микроорганизмов В 30 РФ Аренда, Заказ исследования Екатеринбург
Многоразовая система нагрева для операции ПКД на аппарате высокого давления РФ Аренда, Заказ исследования Москва