| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Тайвань |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
Описание
MPI TS2000 Полуавтоматическая зондовая измерительная станция, 200 мм.
Специализированные конструктивные решения станции TS2000 направлены на удовлетворение требований рынка передовых процедур тестирования полупроводников (Advanced Semiconductor Test). Станция полностью совместима со всей системной оснасткой, выпускаемой компанией MPI. В основном, она разработана для анализа сбоев, проверки соответствия конструкции заданным требованиям, технологии ИС, надежности конструкции на уровне полупроводниковой пластины, а также особым требованиям, предъявляемым к измерениям устройств МЭМС, сигналов высокой мощности, высокочастотных сигналов и сигналов миллиметрового диапазона. Станция TS2000 поддерживает температурный режим (от температуры окружающей среды до высоких температур) и способна обрабатывать до 10 кристаллов в секунду в зависимости от окончательной конфигурации, предоставляя, таким образом, идеальный выбор для проведения электрических испытаний опытных образцов перед началом производства, например, на дискретных ВЧ устройствах.
Специализированные конструктивные решения станции TS2000 направлены на удовлетворение требований рынка передовых процедур тестирования полупроводников (Advanced Semiconductor Test). Станция полностью совместима со всей системной оснасткой, выпускаемой компанией MPI. В основном, она разработана для анализа сбоев, проверки соответствия конструкции заданным требованиям, технологии ИС, надежности конструкции на уровне полупроводниковой пластины, а также особым требованиям, предъявляемым к измерениям устройств МЭМС, сигналов высокой мощности, высокочастотных сигналов и сигналов миллиметрового диапазона. Станция TS2000 поддерживает температурный режим (от температуры окружающей среды до высоких температур) и способна обрабатывать до 10 кристаллов в секунду в зависимости от окончательной конфигурации, предоставляя, таким образом, идеальный выбор для проведения электрических испытаний опытных образцов перед началом производства, например, на дискретных ВЧ устройствах.