| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Япония |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 10 млн руб |
Описание
Предоставляет возможность не только получать точные результаты количественного анализа, но и регистрировать отличного качества изображения поверхности образца. Разрешение JXA-8530F в режиме регистрации вторичных электронов составляет 3 нм на аналитическом рабочем отрезке 11 мм, что является прекрасным показателем для микрозонда. Также этот прибор позволяет исследовать однородность материала, регистрируя отраженные электроны, проводить элементное картирование при помощи спектрометров с дисперсией по энергии или по длинам волн, изучать поля механических напряжений и разориентацию кристаллитов, используя систему дифракции отраженных электронов, по сути, работая в режиме растрового электронного микроскопа.
