| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Япония |
| Год производства | 2014 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 10 млн руб |
| Стоимость предоставления услуг | договорная |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Обладает самой высокой пространственной разрешающей способностью в мире. Его совершенная электронно-оптическая система позволяет достигать разрешения 3 нм в режиме изображения во вторичных электронах и 8 нм в режиме оже-анализа. Данный микрозонд позволяет получать изображение поверхности образца, используя высокоразрешающий режим вторичных электронов, оценивать однородность материала, регистрируя отраженные электроны, проводить элементное картирование при помощи энергодисперсионного спектрометра или оже-анализатора, а также изучать поля механических напряжений и разориентацию кристаллитов, используя систему дифракции отраженных электронов.