| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Германия |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
Описание
Предназначена для использования в НИОКР. Опции: высокопроизводительная откачная система, лазерный интерферометр, in-situ эллипсометр, OES спектрометр, PE электрод и др. Травление полупроводников группы III-V (GaAs, InP, GaN, InSb, …), диэлектриков (SiO2, Si3N4, …), кварца, стекла, полимеров, кремния и кремниевых соединений (Si, SiC, SiGe, …), металлов (Au, Pt, Ti, Ni, …), фоторезиста и др.