| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Франция |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
Описание
Обеспечивает быстрый термический отжиг (RTA), быстрое термическое окисление (RTO), диффузия, после имплантационный отжиг, отжиг соединений полупроводников, кристаллизация, сгущение, сульфуризация, селенизация, нитридизация, силицидирование. Система может быть сконфигурирована с двумя камерами для предотвращения перекрестного загрязнения. Размер подложек до 3’‘ (Ø 76 мм). Размер камеры Ø 85 мм × 250 мм длиной. Кол-во ИК ламп/мощность 6 шт / 15 кВ