Система химического осаждения металлорганических соединений MC200 (ANNEALSYS)
14 сентября 2018
489
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Франция |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
Описание
Обеспечивает осаждение полупроводников (SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN), нитридов и сплавов (GaN, AlN, GaAs, GaAsN, …), диэлектриков с высоким k (SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)), ферроэлектриков (SBT, SBTN, PLZT, PZT, …), сверхпроводников (YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …) пьезоэлектриков ((Pb, Sr)(Zr, Ti)O3, модифицированный титанат свинца), термические покрытия, механические покрытия, буфферные слои.