Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов карбида кремния сублимационным методом 5-20 кГц (ЭЗАН)

Позволяет выращивать кристаллы диаметром до 80 мм, высотой до 30 мм. Индукционный нагрев осуществляется с помощью высокостабильного транзисторного генератора мощностью до 100 кВт. В качестве генератора применяется водно-охлаждаемый транзисторный преобразователь частоты (IGBT) с максимальной мощностью 100 кВт и настраиваемой частотой 5-20 кГц. Стойка управления и контроля процессом осуществляет автоматическое управление технологическим процессом получения кристалла. Она включает приборы управления вакуумной системой, системой подачи газов, мощностью нагрева, контроля температуры держателя затравочного кристалла, водяного охлаждения. Управление и контроль всеми процессами осуществляются с помощью промышленного компьютера с жидкокристаллическим дисплеем с диагональю 17”. Система автоматического управления процессом роста обеспечивает возможность задания программы автоматического функционирования оборудования на всех стадиях технологического процесса. Программный модуль сбора-обработки технологических данных и данных после ростового анализа структуры кристалла позволяет эффективно оптимизировать технологический процесс.