| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Германия |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
Описание
Позволяет проводить измерения параметров полупроводников: FET (CMOS, HVMOS, OTFT, и т.д.), BJT, диодов, резисторов и других устройств как на пластине, так и в виде дискретных компонентов.
Технические характеристики:
Диапазон частот: 1 Гц - 100 кГц
Смещение по постоянному току: ±50В, ±50мА (в зависимости от анализатора постоянного тока)
Шум при использовании малошумящего усилителя: 17 нВ/√Hz на 1 Гц, 2 нВ/√Hz на 100 Гц, 1,9 нВ/√Hz на 1 кГц
Шум тока: менее 50 фА/√Hz
Технические характеристики:
Диапазон частот: 1 Гц - 100 кГц
Смещение по постоянному току: ±50В, ±50мА (в зависимости от анализатора постоянного тока)
Шум при использовании малошумящего усилителя: 17 нВ/√Hz на 1 Гц, 2 нВ/√Hz на 100 Гц, 1,9 нВ/√Hz на 1 кГц
Шум тока: менее 50 фА/√Hz