Сверхвысоковакуумная установка для молекулярно-лучевой эпитаксии НИФТИ
14 сентября 2018
409
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Нижегородская область, Нижний Новгород |
| Страна производства | РФ |
| Год производства | 2009 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 10 млн руб |
| Стоимость предоставления услуг | договорная |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Предназначена для выращивания многослойных структур со слоями кремния и твердого раствора Si-Ge заданного состава (как нелегированных, так и легированных донорными и акцепторными примесями, а также эрбием). Выращивание структурно-совершенных слоев кремния на подложке сапфира диаметром до 100 мм. Получаемые материалы: гетероструктуры Si/Si1-xGex/Si (100) для микро-, нано- и оптоэлектроники; эпитаксиальные слои кремния толщиной от 0,3 до 50 мкм на подложке сапфира диаметром до 100 мм для радиационно-стойких интегральных схем, солнечных батарей и др.