Просвечивающий электронный микроскоп 1200 EX, Jeol
30 августа 2019
493
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Япония |
| Год производства | 2009 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 10 млн руб |
| Стоимость предоставления услуг | договорная |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Да |
| Наличие аккредитации | Да |
| Наличие ГОСТированной методики | Да |
Описание
Обеспечивает микроструктурный и дифракционный анализ пленок проводящего не магнитного не органического материала толщиной не более 100 нм. Основные направления использования установки: Исследование микроструктуры и морфологии конструкционных материалов. Контроль качества образцов для атомно-зондовой томографии. Направления расширения возможностей установки и направлений применения: Установка системы цифровой регистрации изображения изучаемого образца. Программная обработка полученных изображений и расшифровка дифракционных картин. Основные параметры установки: Ускоряющее напряжение от 40 до 120 кэВ. Термоэлектронный источник электронов (LaB6). Точечная разрешающая способность прибора не хуже 0,4 нм. Разрешение по линиям не хуже 0,2 нм. Разрешение проекционной линзы 4 нм. Максимальное увеличение избранной области 500000 раз.