Автоматизированная установка для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния НИКА-SiC, ЭЗАН
15 июня 2022
277
Классификация оборудования | |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
Страна производства | РФ |
Предоставляемое количество | 1 |
Условия использования | |
Стоимостная группа | от 10 млн руб |
Описание
Предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния сублимационным методом (модифицированным методом Лели). Карбид кремния (SiC) - один из наиболее перспективных материалов для высокотемпературной, радиационно-стойкой, силовой и быстродействующей электроники. Установка Ника-SiC позволяет выращивать монокристаллы карбида кремния диаметром до 6”, высотой до 50 мм. Система автоматического управления процессом роста обеспечивает возможность задания программы автоматического функционирования оборудования на всех стадиях технологического процесса. Программный модуль сбора-обработки технологических данных позволяет эффективно оптимизировать технологический процесс.