| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | РФ |
| Год производства | 2019 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | договорная |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Процесс осаждения алмаза из газовой фазы состоит из следующих этапов: в вакуумную камеру подается смесь углеводорода, например, метана (несколько процентов) и водорода, которые диссоциируют в СВЧ- плазме, поддерживаемой мощным микроволновым излучением. Продукты разложения (углеводородные радикалы и атомарный водород) доставляются к подложке, нагретой до высокой температуры (типичные значения 700-1000С), на которой происходит осаждение алмаза. Пленки получаются поликристаллическими, если в качестве подложек используют кремний, молибден, или другие стойкие к нагреву и водородной атмосфере материалы. Эпитаксиальный рост реализуется на алмазных подложках.