Программно-аппаратный комплекс на базе растрового электронного микроскопа JSM-6610LV, Jeol

Комплекс позволяет проводить изучение микроморфологии и тонкой структуры поверхности различных материалов с помощью сфокусированного электронного пучка, сканирующего поверхность образца. Благодаря меньшей, чем у света, длине волны электронов, растровый (сканирующий) электронный микроскоп позволяет изучать образцы с разрешением, в десять тысяч раз превосходящим разрешение самого совершенного светооптического микроскопа, поэтому с помощью РЭМ возможно изучение объектов нанометровых размеров. Характеристики: пространственное изображение составляет 3 нм, ускоряющее напряжение от 0,3 кВ до 30 кВ. Диапазон увеличений от *5 до *300 000 раз. Максимальный размер образца в диаметре до 200 мм, высота до 80 мм. Виды контраста: вторичные электроны, обратно рассеянные электроны (композиционный, топографический, теневой контрасты). Катод вольфрамовый. Столик для образцов моторизованный, с компьютерным управлением. Диапазон перемещений: Х – 125 мм, Y – 100 мм, Z – от 5 до 80 мм. наклон: от -10° до 90°, вращение 360°.