Анизотропное травление материалов, в режиме реактивно-ионного травления (ЦКП «Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников»)
14 сентября 2018
418
| Виды услуг | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Оборудование, с использованием которого выполняется услуга | — |
| Ориентировочная стоимость | от 2 079 руб. |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
| Описание опыта выполнения аналогичных услуг | — |
Описание
Реактивно-ионное травление многослойных гетероструктур нитридов алюминия-галлия-индия на подложках лейкосапфира или карбида кремния, травление сквозных отверстий в подложках фосфида индия и арсенида галлия. Осаждение SiNx, SiO2 из газовой фазы на подложки с использованием плазменного разложения реакционного газа.