Определение причин отказов интегральные микросхем

14 сентября 2018
246
Виды услуг
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Регламент предоставления услуги
Оборудование, с использованием которого выполняется услуга
Ориентировочная стоимость договорная
Наличие аккредитации Нет
Наличие ГОСТированной методики Нет
Описание опыта выполнения аналогичных услуг

Описание

Получение рентгеновских микрофотографий ИМС (неразрушающее исследование внутренней микроструктуры ИМС средствами рентгеновского контроля на предмет целостности кристалла ИМС и внутренней металлической разводки ИМС). Сверхпрецизионное локальное удаление корпуса ИМС с сохранением работоспособности. Построение тепловой карты поверхности функционирующего кристалла ИМС (визуализация теплового распределения на поверхности кристалла ИМС, в том числе точек перегрева).
Получение панорамных изображений высокого разрешения поверхностей кристалла ИМС средствами оптической или электронной микроскопии с целью локализации области отказа. Получение микрофотографий поперечных резов с применением электронно-ионной системы для установления физических механизмов отказа. Сверхпрецизионное удаление защитных диэлектрических слоев средствами ионно-плазменного и жидкостного химического травления для обеспечения доступа к токоведущим элементам кристалла ИМС. Построение вольт-амперных характеристик отдельных интегральных элементов, расположенных на кристалле ИМС. Комплексный анализ ИМС с целью установления технологической/конструкционной/эксплуатационной причины отказа и подготовка технического заключения.