Определение причин отказов интегральные микросхем

Получение рентгеновских микрофотографий ИМС (неразрушающее исследование внутренней микроструктуры ИМС средствами рентгеновского контроля на предмет целостности кристалла ИМС и внутренней металлической разводки ИМС). Сверхпрецизионное локальное удаление корпуса ИМС с сохранением работоспособности. Построение тепловой карты поверхности функционирующего кристалла ИМС (визуализация теплового распределения на поверхности кристалла ИМС, в том числе точек перегрева).
Получение панорамных изображений высокого разрешения поверхностей кристалла ИМС средствами оптической или электронной микроскопии с целью локализации области отказа. Получение микрофотографий поперечных резов с применением электронно-ионной системы для установления физических механизмов отказа. Сверхпрецизионное удаление защитных диэлектрических слоев средствами ионно-плазменного и жидкостного химического травления для обеспечения доступа к токоведущим элементам кристалла ИМС. Построение вольт-амперных характеристик отдельных интегральных элементов, расположенных на кристалле ИМС. Комплексный анализ ИМС с целью установления технологической/конструкционной/эксплуатационной причины отказа и подготовка технического заключения.