Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости в полупроводниковых структурах в диапазоне волновых чисел 10-5000 см-1

Определение напряжений в полупроводниковых материалах прозрачных в ближней ИК области с помощью метода фотоупругости. Измерение микрохрупкости и микротвердости в диапазоне температур 100-600oС с помощью индентора Кнуппа и Виккерса. Измерение микронеоднородности распределения удельного сопротивления и концентрации свободных носителей заряда в монокристаллах Ge и Si методом сопротивления растекания согласно стандарту ASTM F672. Проведение комплексных исследований физическо-химических и структурных свойств образцов кристаллов кремния