Проведение комплексных исследований физическо-химических и структурных свойств образцов выращенных из расплава монокристаллов полупроводниковых материалов: элементарных полупроводников Si и Ge, полупроводниковых соединений АIIIBV

Измерение удельного электросопротивления полупроводниковых материалов - до 10 000 Ом·см. Определение типа проводимости полупроводников. Измерение концентрации и подвижности носителей заряда методом Холла. Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости в полупроводниковых структурах в диапазоне волновых чисел 10-5000 см-1. Измерение концентрации основных носителей тока и удельного сопротивления методом эффекта Холла в интервале температур 300-4 К. Измерения параметра кристаллической решетки с точностью ± 5·10-4 Å. Измерение углов разориентации поверхности монокристаллических пластин (стандартных образцов) относительно кристаллографических плоскостей (hkl). Топографический контроль дефектов в объеме и на поверхности монокристаллов (секционная топография, топография на прохождение и отражение рентгеновских лучей). Определение рассогласования параметров решетки эпитаксиального слоя и подложки с точностью ±1.105 Å путем снятия кривых дифракционного отражения. Определение плотности дислокаций в монокристаллах и эпитаксиальных слоев оптической микроскопией в сочетании с избирательным химическим травлением. Определение распределения дислокаций по толщине эпитаксиального слоя на косом шлифе, изготовленным химическим травлением.