Диагностика электрофизических параметров полупроводниковых микроструктур и нестационарная спектроскопия глубоких уровней
14 сентября 2018
410
| Виды услуг | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Нижегородская область, Нижний Новгород |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Оборудование, с использованием которого выполняется услуга | — |
| Ориентировочная стоимость | договорная |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
| Описание опыта выполнения аналогичных услуг | — |
Описание
Определение профиля легирования полупроводников методом электрохимического C-V профилирования. Определение высоты барьера в гетероструктурах GaAs/AlGaAs методом измерения температурных зависимостей вольтамперных характеристик.