Исследования микроструктуры и элементный анализ поверхности при помощи сканирующей электронной микроскопии.

Получение изображений топологии поверхности, компози¬ционного контраста поверхности, карты разориентации кристаллов и карты ориентации магнитных доменов. Гарантирует получение изображений во вторичных и/или обратно рассеянных электронах, проведение прецизионных измерений частиц и включений, допол¬нительные аналитические возможности при изучении образцов в режимах просвечивания и в комбинации с микроаналитическими приставками.
Диапазон увеличений в режиме вторичных электронов - 12 - 900 000 крат.
Диапазон увеличений в режиме обратно рассеянных электронов - 100-900 000 крат. Пространственное разрешение - 0,8 нм при 30 кВ, 1,0 нм при 15 кВ, 1,7 нм при 1 кВ, 4,0 нм при 0,1 кВ.