Исследование электронных состояний в полупроводниковых материалах и структурах, определение параметров дефектов с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводников

Метод C-V характеристик - исследование профиля распределения концентрации носителей заряда в полупроводниковых микро- и наноструктурах, исследование электрофизических свойств МДП-структур, полупроводниковых структур с квантовыми ямами, точками. Спектроскопия низкочастотного шума - определение спектральной плотности мощности в структурах на основе полупроводниковых материалов и металлов. Метод токовой DLTS (CDLTS) - определение параметров дефектов с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводников, исследование полупроводниковых наногетероструктур. Метод I-V характеристик - исследование механизмов токопрохождения в полупроводниковых структурах, исследование электрических свойств диэлектриков. Метод исследования эффекта Холла - измерение концентрации, подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах.