Вторичная ион-масс спектроскопия наногетероструктур

НТЦ микроэлектроники располагает современным оборудованием для выполнения работ по определению характеристик структур различных опто- и микроэлектронных приборов на основе микро- и наноразмерных многослойных гетероструктур методами динамической вторично-ионной масс-спектрометрии (вторично-ионный микрозонд IMS-4f фирмы САМЕСА, Франция) и оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (оже- и фотоэлектронный спектрометр Multitecnique PHI-5500 фирмы PHYSICAL ELECTRONICS, США). Наличие такого оборудования обеспечивает детальный контроль материалов при разработке эпитаксиальных технологий формирования приборов на основе наноразмерных гетероструктур. Кроме того, используемые НТЦ микроэлектроники РАН методики аттестованы Росстандартом Российской Федерации, например, методика получения информации о распределении по глубине GaN таких электрически активных примесей, как кремний и магний.