Проектирование лазерных активных элементов на основе монокристаллов GGG:Nd, GSGG:Nd,Cr, YSGG:Nd,Cr, YAG:Ho,Tm,Cr, YSGG:Er, YSGG:Er,Cr
14 сентября 2018
320
| Виды услуг | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Оборудование, с использованием которого выполняется услуга | — |
| Ориентировочная стоимость | договорная |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
| Описание опыта выполнения аналогичных услуг | — |
Описание
Области применения: Технологические лазеры: элементы на основе ГГГ:Nd, ГГГ:Yb; Медицинские лазерные установки: элементы на основе ИСГГ:Er, Cr, ИСГГ:Er и ИАГ:Er; Офтальмотологические лазеры: элементы на основе ИАГ:Ho, Tm, Cr и ИСГГ:Ho, Tm, Cr; Системы дальнометрии и медицинские лазеры: пассивные затворы на основе ГСГГ:Cr4 и ИАГ:Cr4 ; Системы с высокой средней мощностью: элементы на основе ГСГГ:Nd, Cr и ИСГГ:Nd, Cr; Фарадеевские вращатели и изоляторы на основе ТГГ; Волоконные лазеры и системы межкаскадной разводки: элементы на основе ТГГ; Фарадеевские изоляторы в воловоннооптических линиях связи: BiYIG пленки на подложках ГГГ:Ca, Mg, Zr; Подложки ГГГ для жидкофазной эпитаксии диаметром 76 и 100 мм.