Измерения рентгеноструктурных, геометрических, электрических и оптических характеристик полупроводниковых и оптических материалов, в том числе кремния, КНС, сапфира, соединений со структурой граната, соединений А2В6, А3В5 и др.

14 сентября 2018
195
Виды услуг
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Регламент предоставления услуги
Оборудование, с использованием которого выполняется услуга
Ориентировочная стоимость договорная
Наличие аккредитации Нет
Наличие ГОСТированной методики Нет
Описание опыта выполнения аналогичных услуг

Описание

ИЗМЕРЕНИЕ угла разориентации поверхности монокристалла относительно заданной кристаллографической плоскости с точностью менее 1 угловой минуты; ИЗМЕРЕНИЕ угла разориентации поверхности монокристаллов относительно заданной кристаллографической плоскости, контроль ориентации торцов и направление отклонения оси цилиндрического слитка относительно заданной кристаллографической оси для монокристаллов большого веса (более 10 кг.) и ориентировка базового среза; ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ материалов на содержание элементов в диапазоне от 12 (Mg) до 92(U) таблицы Менделеева; ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ материалов на содержание элементов диапазоне от 22(Ti) до 92(U) таблицы Менделеева с чувствительностью обнаружения не хуже 10-4 г.; ФАЗОВЫЙ АНАЛИЗ состава различных материалов с чувствительностью обнаружения не хуже 5 вес. %; КОНТРОЛЬ структурного совершенства тонких приповерхностных слоев толщиной более 20Å; КОНТРОЛЬ толщины диэлектрических пленок на кремнии и арсениде галлия, с использованием спектрального эллипсометра в диапазоне от 10 до 5000 Å с погрешностью ± 5Å; ИССЛЕДОВАНИЕ спектров поглощения, пропускания, отражения в полупроводниковых материалах в диапазоне 1,5 – 25 мкм, содержание кислорода и углерода в кремнии, углерода в арсениде галлия, воды в борном ангидриде (флюс) и др., измерение толщины эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов в диапазоне толщин 0,5 – 200 мкм; ИЗМЕРЕНИЕ удельного сопротивления пластин и слитков кремния в диапазоне 0,001 – 5000 Ом·см. методом четырех зондов с погрешностью ± 2%; ИЗМЕРЕНИЕ концентрации и подвижности носителей тока, удельного сопротивления полупроводниковых материалов в диапазоне сопротивлений от 0,001 –108 Ом·см; Спектроы фотолюминесценции материалов А3В5, А2В6 в диапазоне длин волн от 380 до 1100 нм; ИЗМЕРЕНИЕ величины прогиба пластин в диапазоне 1 – 1000 мкм; ИЗМЕРЕНИЕ шероховатости поверхности пластин с чувствительностью - 5Å, в диапазоне Rа – от 0,0080 до 100 мкм; ИЗМЕРЕНИЕ отклонения от плоскостности кремниевых пластин диаметром 76 -150 мм. с погрешностью ± 1 мкм; ИЗМЕРЕНИЕ коробления, клина, толщины и полного изменения толщины (TTV) пластин кремния диаметром 76, 100 и 150 мм с погрешностью измерения ± 6 мкм.