Разработка технологической базы для создания светоизлучающих диодных структур на кремнии
14 сентября 2018
776
| Виды услуг | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Санкт-Петербург |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Оборудование, с использованием которого выполняется услуга | — |
| Ориентировочная стоимость | договорная |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
| Описание опыта выполнения аналогичных услуг | — |
Описание
Экспериментальные и теоретические исследования физических явлений и процессов, происходящих при молекулярно-пучковой эпитаксии напряженных гетероструктур, в системах In(Ga,Al)As/GaAs, Ge/Si, InAs/Si. Разработка технологии получения нанометровых нитевидных кристаллов в системе А3В5. Разработка приборной базы для установок молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследование физических свойств полупроводниковых сверхрешеток и квантовых точек.