Разработка приборной базы для установок молекулярно-пучковой эпитаксии
14 сентября 2018
531
Виды услуг | |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Санкт-Петербург |
Регламент предоставления услуги | — |
Оборудование, с использованием которого выполняется услуга | — |
Ориентировочная стоимость | договорная |
Наличие аккредитации | Нет |
Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание опыта выполнения аналогичных услуг | — |
Описание
Экспериментальные и теоретические исследования физических явлений и процессов, происходящих при молекулярно-пучковой эпитаксии напряженных гетероструктур, в системах In(Ga,Al)As/GaAs, Ge/Si, InAs/Si. Разработка технологии получения нанометровых нитевидных кристаллов в системе А3В5.