Разработка приборной базы для установок молекулярно-пучковой эпитаксии

14 сентября 2018
378
Виды услуг
Страна, регион, город Российская Федерация, Санкт-Петербург
Регламент предоставления услуги
Оборудование, с использованием которого выполняется услуга
Ориентировочная стоимость договорная
Наличие аккредитации Нет
Наличие ГОСТированной методики Нет
Описание опыта выполнения аналогичных услуг

Описание

Экспериментальные и теоретические исследования физических явлений и процессов, происходящих при молекулярно-пучковой эпитаксии напряженных гетероструктур, в системах In(Ga,Al)As/GaAs, Ge/Si, InAs/Si. Разработка технологии получения нанометровых нитевидных кристаллов в системе А3В5.