Способ геттерирующей обработки эпитаксиальных слоев полупро-водниковых структур
Сергей Владимирович Оболенский
14 сентября 2018
246
Предметная область | — |
Отрасли по ОКВЭД | — |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Нижегородская область, Нижний Новгород |
Отличия от конкурентов | — |
Вид документа об охране ИС | изобретение |
Номер документа ИС | 2176422 |
Дата регистрации документа ИС | 2001-06-28 |
Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
Сроки внедрения | — |
Стоимость предоставления технологии | договорная |
Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Способ геттерирующей обработки эпитаксиальных слоев полупроводниковых структур улучшающий параметры полупроводниковых слоев и увеличивающий уровень радиационной стойкости