Способ контроля структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин
Сергей Владимирович Оболенский
14 сентября 2018
438
| Предметная область | — |
| Отрасли по ОКВЭД | — |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Нижегородская область, Нижний Новгород |
| Отличия от конкурентов | — |
| Вид документа об охране ИС | изобретение |
| Номер документа ИС | 2156520 |
| Дата регистрации документа ИС | 2000-04-21 |
| Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
| Сроки внедрения | — |
| Стоимость предоставления технологии | договорная |
| Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Способ контроля структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин использующий ионное облучение обратной стороны полупроводниковых структур, т.е. процедуру аналогичную ионно-лучевому геттерированию