Способ контроля структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин

Сергей Владимирович Оболенский
14 сентября 2018
152
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Нижегородская область, Нижний Новгород
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС изобретение
Номер документа ИС 2156520
Дата регистрации документа ИС 2000-04-21
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Способ контроля структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин использующий ионное облучение обратной стороны полупроводниковых структур, т.е. процедуру аналогичную ионно-лучевому геттерированию