Способ радиационно-стимулированного термического окисления кремния
Грехов Максим Михайлович
14 сентября 2018
180
Предметная область | — |
Отрасли по ОКВЭД | — |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
Отличия от конкурентов | — |
Вид документа об охране ИС | изобретение |
Номер документа ИС | 2540462 |
Дата регистрации документа ИС | 2013-08-09 |
Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
Сроки внедрения | — |
Стоимость предоставления технологии | договорная |
Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления оксидного слоя, являющегося основным структурным элементом интегральных схем на основе МОП-транзисторов. Изобретение обеспечивает возможность получения пленок диоксида кремния, обладающих повышенным пробивным напряжением и меньшей чувствительностью к ионизирующему излучению, что обеспечивает возможность создания МОП-транзисторов и интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью. В способе радиационно-стимулированного термического окисления кремния, заключающемся в термическом окислении кремния в потоке кислорода при воздействии гамма-излучения, возникающего в камере окисления при распаде изотопов O15, создаваемых в гамма-контуре на основе линейного ускорителя электронов в циркулирующем по гамма-контуру веществе, содержащем атомы кислорода, окисление ведут при температуре не выше 1000°C, а плотность мощности дозы гамма-излучения в кремнии составляет не менее 2,35 мкГр/см^2·с.