Способ радиационно-стимулированного термического окисления кремния

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления оксидного слоя, являющегося основным структурным элементом интегральных схем на основе МОП-транзисторов. Изобретение обеспечивает возможность получения пленок диоксида кремния, обладающих повышенным пробивным напряжением и меньшей чувствительностью к ионизирующему излучению, что обеспечивает возможность создания МОП-транзисторов и интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью. В способе радиационно-стимулированного термического окисления кремния, заключающемся в термическом окислении кремния в потоке кислорода при воздействии гамма-излучения, возникающего в камере окисления при распаде изотопов O15, создаваемых в гамма-контуре на основе линейного ускорителя электронов в циркулирующем по гамма-контуру веществе, содержащем атомы кислорода, окисление ведут при температуре не выше 1000°C, а плотность мощности дозы гамма-излучения в кремнии составляет не менее 2,35 мкГр/см^2·с.