Способ формирования мемристора на основе твердотельного сплава Si:Me и структура мемристора на основе твердотельного сплава Si:Me

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики и/или энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл (МИМ). Задачей данного изобретения является создание мемристора, который отличается отсутствием «формовки» при первоначальном переключении структуры в состояния с малым сопротивлением. Поскольку этот этап является критически важным для получения необходимых характеристик МИМ-структур, то отсутствие данного этапа дает возможность получения больших матриц МИМ-структур с однородными параметрами. Способ формирования мемристора на основе металл-изолятор-металл структуры включает формирование слоя изолятора из твердотельного сплава Si:Me, который формируют с заранее заданным профилем концентрации металла Me по толщине. Для этого рост изолятора осуществляют путем поочередного осаждения сверхтонких слоев Si и Me различной толщины таким образом, что обеспечивается рост концентрации Me в Si, по направлению от нижнего электрода к верхнему электроду в пределах 1-25%. Также создан мемристор на основе металл-изолятор-металл структуры.