Способ осаждения тонких пленок оксида церия

Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования равномерных по толщине пленок оксида церия (CeO2) на подложках сложной пространственной конфигурации, и может быть использовано для создания равномерных по толщине пленок оксида церия при решении ряда задач нанотехнологии, энергосберегающих технологий, в электронной, атомной и других областях науки и техники. Способ включает магнетронное распыление металлической мишени церия в рабочей камере в атмосфере, содержащей инертный газ и кислород, и осаждение на подложку слоя оксида церия, при этом подложку размещают на аноде в области зоны активного распыления мишени на расстоянии от мишени R, превышающем глубину зоны термализации L распыленных атомов мишени, при соотношении R/L в диапазоне 1,2÷1,5. Техническим результатом изобретения является формирование равномерных по толщине покрытий оксида церия на подложках сложной пространственной конфигурации.