Способ получения тонких эпитаксиальных слоев B-SIC на кремнии монокристаллическом

Грехов Максим Михайлович
14 сентября 2018
148
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС изобретение
Номер документа ИС 2524509
Дата регистрации документа ИС 2013-04-25
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев b-SiC на кремнии монокристаллическом включает распыление керамической мишени SiC путем сканирования по ее поверхности лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку. Распыление осуществляют лазером с длиной волны излучения =1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1÷0,3 Дж при остаточном давлении в ростовой камере 10^-4-10^-6 Па и при температуре подложки 950÷1000°C. Обеспечивается получение эпитаксиальных слоев карбида кремния кубической модификации (b-SiC) на подложках кремния монокристаллического (Si) кристаллографической ориентации (111) и (100).