Интегральная микросхема малошумящего спектрометрического тракта обработки сигналов полупроводниковых детекторов
Грехов Максим Михайлович
14 сентября 2018
366
| Предметная область | — |
| Отрасли по ОКВЭД | — |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Отличия от конкурентов | — |
| Вид документа об охране ИС | топология интегральных микросхем |
| Номер документа ИС | 201563007 |
| Дата регистрации документа ИС | 2015-07-21 |
| Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
| Сроки внедрения | — |
| Стоимость предоставления технологии | договорная |
| Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Интегральная микросхема предназначена для считывания сигналов с полупроводниковых детекторов. Топология ИМС разработана по КМОП технологии с проектными нормами 350 нм компании АМ8(Бельгия), с использованием четырех слоев металлизации. ИМС размером 1331 х 3755 мкм2 содержит: - аналоговый канал считывания с внешним головным полевым транзистором, включающий в себя зарядочувствительный усилитель с внешним головным полевым транзистором, источник опорных потенциалов и токов, усилитель-формирователь, триггера Шмитта; - аналоговый канал считывания со встроенным головным полевым транзистором, включающий в себя: зарядочувствительный усилитель со встроенным головным полевым транзистором, источник опорных потенциалов и токов, усилитель-формирователь, триггера Шмитта.