Полупроводниковая наногетероструктура In0.52Al0.48AsInXGa1-XAs с составной активной областью In0.53Ga0. 47AsInAsIn0.53Ga0. 47AsInAsIn0.53Ga0. 47As с двумя вставками InAs
Мальцев Петр Павлович
14 сентября 2018
208
| Предметная область | — |
| Отрасли по ОКВЭД | — |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Отличия от конкурентов | — |
| Вид документа об охране ИС | полезная модель |
| Номер документа ИС | 113071 |
| Дата регистрации документа ИС | 2013-07-08 |
| Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
| Сроки внедрения | — |
| Стоимость предоставления технологии | договорная |
| Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Полезная модель полупроводниковой наногетероструктуры