Моделирование фоточувствительности полупроводниковых многослойных гетероструктур

Программа предназначена для моделирования фототоков и спектральных характеристик чувствительности полупроводниковых фотодиодных многослойных гетероструктур и изучения влияния конструкции структур и характеристик отдельных слоев на фотодиодные характеристики. Применяется для разработки и оптимизации конструкции фотодиодных структур и в образовательном процессе подготовки специалистов в области электроники в качестве выполнения лабораторных работ и курсовых проектов дисциплины «Приборы квантовой и оптической электроники». Моделирование производится на основе численного решения фундаментальной системы уравнений: уравнения Пуассона, уравнений непрерывности и переноса для электронов и дырок при падении на фотодиодную структуру потока квантов оптического излучения.