Моделирование фоточувствительности полупроводниковых многослойных гетероструктур

Пархоменко Юрий Николаевич
14 сентября 2018
146
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС программа для ЭВМ
Номер документа ИС 201661346
Дата регистрации документа ИС 2016-03-28
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Программа предназначена для моделирования фототоков и спектральных характеристик чувствительности полупроводниковых фотодиодных многослойных гетероструктур и изучения влияния конструкции структур и характеристик отдельных слоев на фотодиодные характеристики. Применяется для разработки и оптимизации конструкции фотодиодных структур и в образовательном процессе подготовки специалистов в области электроники в качестве выполнения лабораторных работ и курсовых проектов дисциплины «Приборы квантовой и оптической электроники». Моделирование производится на основе численного решения фундаментальной системы уравнений: уравнения Пуассона, уравнений непрерывности и переноса для электронов и дырок при падении на фотодиодную структуру потока квантов оптического излучения.