Программа численного моделирования стимулированных электрическим полем процессов диффузии легирующих примесей в полупроводниках
Вардуни Татьяна Викторовна
14 сентября 2018
203
| Предметная область | — |
| Отрасли по ОКВЭД | — |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Ростовская область, Ростов-на-Дону |
| Отличия от конкурентов | — |
| Вид документа об охране ИС | программа для ЭВМ |
| Номер документа ИС | 201561656 |
| Дата регистрации документа ИС | 2015-06-15 |
| Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
| Сроки внедрения | — |
| Стоимость предоставления технологии | договорная |
| Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Назначением разработанной программы является численное моделирование стимулированных электрическим полем процессов диффузии легирующих примесей в полупроводниках. Область применения программы - разработка технологических процессов изготовления интегральных полупроводниковых структур. Функциональные возможности программы: программа позволяет получить распределения концентраций легирующих примесей по координатам и времени, графики изменения во времени зонных диаграмм структур и напряженности электрического поля.