Полупроводниковая транзисторная наногетероструктура на подложке GaAs С модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs

14 сентября 2018
155
Предметная область
Отрасли по ОКВЭД
Страна, регион, город Российская Федерация, Москва
Отличия от конкурентов
Вид документа об охране ИС полезная модель
Номер документа ИС 156841
Дата регистрации документа ИС 2015-10-23
Необходимые инвестиции для внедрения договорная
Сроки внедрения
Стоимость предоставления технологии договорная
Наличие экспертного заключения Нет

Польза для потенциального потребителя

Полезная модель полупроводниковой транзисторной наногетероструктуры на подложке GaAs С модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs