Полупроводниковая транзисторная наногетероструктура на подложке GaAs С модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs
Мальцев Петр Павлович
14 сентября 2018
374
| Предметная область | — |
| Отрасли по ОКВЭД | — |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Отличия от конкурентов | — |
| Вид документа об охране ИС | полезная модель |
| Номер документа ИС | 156841 |
| Дата регистрации документа ИС | 2015-10-23 |
| Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
| Сроки внедрения | — |
| Стоимость предоставления технологии | договорная |
| Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Полезная модель полупроводниковой транзисторной наногетероструктуры на подложке GaAs С модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs