Полупроводниковая транзисторная наногетероструктура на подложке GaAs С модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs
Мальцев Петр Павлович
14 сентября 2018
197
Предметная область | — |
Отрасли по ОКВЭД | — |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
Отличия от конкурентов | — |
Вид документа об охране ИС | полезная модель |
Номер документа ИС | 156841 |
Дата регистрации документа ИС | 2015-10-23 |
Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
Сроки внедрения | — |
Стоимость предоставления технологии | договорная |
Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Полезная модель полупроводниковой транзисторной наногетероструктуры на подложке GaAs С модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs