Устройство защиты от разрядов статического электричества выводов комплементарных МОП (металл-окисел-полупроводник) интегральных схем на КНС (кремний на сапфире), КНИ (кремний на изоляторе) структурах
14 сентября 2018
266
Предметная область | — |
Отрасли по ОКВЭД | — |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
Отличия от конкурентов | — |
Вид документа об охране ИС | изобретение |
Номер документа ИС | 2467431 |
Дата регистрации документа ИС | 2012-11-20 |
Необходимые инвестиции для внедрения | договорная |
Сроки внедрения | — |
Стоимость предоставления технологии | договорная |
Наличие экспертного заключения | Нет |
Польза для потенциального потребителя
Изобретение относится к полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: в устройстве защиты от разрядов статического электричества выводов комплементарных МОП интегральных схем на КНС, КНИ структурах вывод контактной площадки (1) связан с латеральными диодами Д (2) и Д (3), стоком транзистора Т (4) и внутренними электродами схемы (10), латеральные диоды Д (2) и Д (3), анод Д (2) и катод Д (3) связаны с входной шиной, катод Д (2) подключен к шине положительного питания (8), а анод Д (3) - к шине земли (9), сток (исток) n-канального транзистора Т (4) связан с входной шиной, исток (сток) подключен к шине земли (9), а затвор подключен к шине земли через резистор Р (5), между шинами питания (8) и земли (9) включен n-канальный транзистор Т (6), затвор которого подключен к шине земли через резистор Р (7). Латеральные диоды сформированы в одиночных островках эпитаксиальной структуры, имеют развитый (длинный) периметр границы р-n перехода, удаленной от контактов к токоведущим шинам, и не имеют затвора над низколегированными областями базы, а n-канальные транзисторы имеют кольцевые затворы, которые связаны с шиной земли через высокоомные резисторы, области каналов транзисторов не подключены к фиксированным потенциалам.