Способ получения легированного алмаза

Изобретение относится к технологическим процессам получения легированных алмазов, которые могут быть использованы в электронике и приборостроении, а также в качестве ювелирного камня. Легированный алмаз получают методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) на подложку в реакционной камере. Легирующий компонент берут в твердом состоянии и размещают в камере легирования, в которой выполнено не менее трех присоединительных фланцев, два из которых служат для присоединения камеры легирования к линии подачи рабочего газа, а третий - для прохождения лазерного излучения в импульсном режиме через прозрачное окно внутрь камеры легирования для распыления легирующего компонента, причем концентрацию легирующего компонента в алмазе регулируют путем варьирования параметров лазера: тока накачки лазерного диода, частоты лазерных импульсов, расстояния от фокуса лазерного излучения до поверхности легирующего компонента.